Pesquisadores do MIT e instituições parceiras investigaram a resistência dos contatos ôhmicos em dispositivos de nitreto de gálio a temperaturas extremas. Os contatos ôhmicos são essenciais para conectar dispositivos semicondutores a outros componentes eletrônicos. De acordo com a publicação do MIT News, o estudo revela que tanto o material quanto os contatos de nitreto de gálio permanecem estruturalmente intactos e com resistência constante, mesmo quando expostos a 500 graus Celsius por 48 horas.
Essa descoberta é significativa para o desenvolvimento de semicondutores de alto desempenho que poderiam operar na superfície de Vênus e em aplicações terrestres como extração de energia geotérmica e monitoramento de motores a jato. John Niroula, estudante de graduação em EECS e principal autor da pesquisa, destacou a importância de entender a durabilidade dos materiais e contatos antes de avançar para a fabricação dos semicondutores.
Os pesquisadores utilizaram dois métodos para adicionar contatos ôhmicos: o recozimento e a regeneração de nitreto de gálio altamente dopado. Ambos os métodos demonstraram estabilidade a altas temperaturas. O estudo também contou com testes de resistência de curto e longo prazo, realizados com colaboração das Universidades Rice e Estadual de Ohio.
Com os cientistas planejando desenvolver semicondutores de nitreto de gálio, a pesquisa marca um avanço importante para a eletrônica de alta temperatura. "Nosso trabalho traduz avanços no nível material para impacto no nível do circuito, visando eletrônicos de alta temperatura," explicou Qingyun Xie, coautor do estudo.
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